三星发布下一代AI存储路线图，展示zHBM和400层以上V10 NAND技术

三星电子在2026年未来存储与内存大会（FMS）上发布了面向AI基础设施的下一代存储技术路线图，首次展示了zHBM和zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短数据传输距离，以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效表现。此次发布标志着三星在AI存储领域的持续创新，旨在满足日益增长的高性能计算需求。